真空镀膜：CVD法生产碳化硅膜

* 来源: * 作者: * 发表时间: 2020-06-12 0:59:52 * 浏览: 49

该设备的原理图如图10-30所示。采用高频加热，温度可达1300℃-1800℃，膜生长速度为0.2mu.m / min〜1.0mu.m / min。